Karbonla bağlanmış silisium karbid pota, yüksək temperatur laboratoriyalarında geniş istifadə olunur. Bu tigelər yüksək möhkəmlik və yüksək temperaturda deformasiyaya və qırılmaya qarşı müqavimət kimi müxtəlif üstünlüklər təklif edir. Bununla belə, onların nəzərə alınmalı olan bəzi çatışmazlıqları olduğunu qeyd etmək lazımdır.
Silikon karbid tigelərin əsas çatışmazlıqlarından biri onların kövrəkliyidir. Bu tigelər istifadə zamanı mexaniki zərbəyə məruz qaldıqda qırılmağa meyllidirlər. Zədələndikdən sonra, onlar təcrübələrin uğursuz olmasına və ya eksperimental məlumatların düzgünlüyünə xələl gətirə bilər. Bu zəiflik nəzərə alınmalı və işləmə və istifadə zamanı müvafiq ehtiyat tədbirləri görülməlidir.
Silikon karbid tigelərin başqa bir dezavantajı onların yüksək temperaturda oksidləşmə reaksiyalarına meylli olmasıdır. Yüksək temperatura məruz qaldıqda, tigenin səthində eksperimental nəticələrə mane olan oksid təbəqəsi əmələ gələ bilər. Bu oksidləşmənin qarşısını almaq üçün qoruyucu tədbirlər görmək lazımdır, məsələn, tige səthini qoruyucu təbəqə ilə örtmək.
Bundan əlavə, silisium karbid potaları istehsal prosesi və qiymət kimi amillərə görə müəyyən məhdudiyyətlərə məruz qalır. Bu məhdudiyyətlər tigenin ölçüsünü, formasını və tutumunu məhdudlaşdıra bilər. Buna görə də, tədqiqatçılar və istehsalçılar spesifik tələbləri üçün tige seçərkən bu məhdudiyyətləri nəzərə almalıdırlar.
Silikon karbid potalarının çatışmazlıqlarını aradan qaldırmaq üçün bir neçə həll yolu mövcuddur. Hər şeydən əvvəl, tigenin xidmət müddətini yaxşılaşdırmaq üçün, daha aşınmaya davamlı və davamlı olması üçün daxili divar dəstəyini gücləndirmək üsullarından istifadə edilə bilər. Bu, qırılmanın qarşısını almağa kömək edir və potanın ömrünü uzadır.
İkincisi, oksidləşmənin qarşısını almaq üçün tigenin səthinə qoruyucu təbəqə tətbiq oluna bilər. Bu təbəqə yüksək temperaturda tigelin oksigenlə reaksiyaya girməsinin qarşısını alır, beləliklə, oksid təbəqəsinin əmələ gəlməsinin qarşısını alır.
Nəhayət, silisium karbid potalarının məhdudiyyətlərini aradan qaldırmaq üçün dizayn optimallaşdırıla və daha təkmil istehsal prosesləri qəbul edilə bilər. Bununla, daha geniş, daha dərin və daha mürəkkəb formalar yaradıla bilər ki, bu da bu tigelərdən daha geniş eksperimental qurğularda istifadə etməyə imkan verir. Bundan əlavə, silisium karbid tigelərini əvəz etmək üçün yüksək temperaturlu keramika kimi alternativ materiallar nəzərdən keçirilə bilər.
Yekun olaraq qeyd edək ki, silisium karbid tigelərinin bəzi çatışmazlıqları var, lakin onların laboratoriyada tətbiqi hələ də çox faydalıdır. Silikon karbid tigelərin ümumi performansı və çox yönlüliyi onların kövrəkliyini, oksidləşməyə həssaslığını və məhdudiyyətlərini aradan qaldırmaq üçün müvafiq tədbirlər və optimallaşdırmalar aparmaqla yaxşılaşdırıla bilər. Tədqiqatçılar və istehsalçılar yüksək temperaturlu eksperimental tigeləri seçərkən bu amilləri diqqətlə nəzərdən keçirməlidirlər.
Göndərmə vaxtı: 14 noyabr 2023-cü il